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半導体デバイス(series電気・電子・情報系〈7〉) [全集叢書]Ω

『半導体デバイス(series電気・電子・情報系〈7〉) [全集叢書]Ω』はセカイモンでkJ-000d996108から出品され、33の入札を集めて05月05日 13時 19分に、3,003円で落札されました。即決価格は3,003円でした。決済方法はに対応。岡山県からの発送料は落札者が負担しました。PRオプションはストア、取りナビ(ベータ版)を利用したオークション、即買でした。

半導体デバイス(series電気・電子・情報系〈7〉) [全集叢書]Ω
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要旨(「BOOK」データベースより)エレクトロニクスの根幹を支えている半導体デバイスについて、基本的な事柄をまとめた書。前半では、半導体デバイスの基本となるpn接合と半導体‐絶縁体接合の物理の基礎を修得することを目的とし、後半では、トランジスタなど各種の半導体デバイスの構造および動作原理を述べる。目次1 半導体の電子構造1.1 結晶構造1.2 エネルギー帯構造1.3 真性半導体・外因性半導体1.4 キャリア密度1.5 フェルミ準位2 半導体における電気伝導2.1 キャリアの熱運動2.2 ドリフト電流2.3 ホール効果―キャリア密度と移動度の実測法2.4 拡散電流2.5 キャリアの生成・消滅2.6 多数キャリアの振る舞い3 pn接合ダイオード3.1 pn接合の整流性3.2 直流電流-電圧特性―理想特性3.3 理想特性からのずれ3.4 空乏層の解析3.5 pn接合の破壊3.6 交流特性3.7 種々のpn接合ダイオード4 半導体異種材料界面4.1 金属-半導体界面4.2 絶縁物-半導体界面5 バイポーラトランジスタ5.1 基本構造と動作特性5.2 直流特性5.3 電気的諸特性5.4 高周波特性5.5 ヘテロバイポーラトランジスタ6 電界効果トランジスタ6.1 MOS形電界効果トランジスタ6.2 接合形電界効果トランジスタ6.3 高電子移動度トランジスタ6.4 静電誘導トランジスタ7 集積回路7.1 集積回路の分類7.2 バイポーラ集積回路7.3 MOS集積回路7.4 メモリ回路7.5 CCD7.6 多様化する集積回路8 パワーデバイス8.1 パワーデバイスの種類と用途8.2 サイリスタ8.3 パワートランジスタ9 受光デバイス9.1 半導体の光学的性質9.2 半導体の光電的性質9.3 太陽電池9.4 光検出器10 発光デバイス10.1 半導体の発光10.2 発光ダイオード10.3 レーザ10.4 半導体レーザ出版社からのコメント例題・演習を用いてわかりやすく解説内容紹介半導体デバイスについて,基本的な事項をまとめたテキストおよび参考書。前半では,半導体デバイスの基本となるpn接合と半導体-絶縁体接合の物理の基礎を習得することを目的とした。後半では,トランジスタなどの各種の半導体デバイスの構造および動作原理を述べた。大学初級程度の物理・数学の知識と,電気・電子回路の初歩的な知識があれば理解できるように留意し,適宜,例題と演習問題を設け,実際の数値を用いて計算し,理解を深めるようにした。著者紹介(「BOOK著者紹介情報」より)(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)吉本 昌広(ヨシモト マサヒロ)1988年京都大学大学院工学研究科博士後期課程修了。専門分野。半導体工学。現在京都工芸繊維大学工芸学部助教授。工学博士


半導体デバイス(series電気・電子・情報系〈7〉) [全集叢書]Ω

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